As imagens são ilustrativas e não vinculativas. Os preços e restante informação de produto estão sujeitos a atualizações periódicas. Dimensões: Largura X Profundidade X Altura.
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 – SSD – encriptado – 4 TB – interna – M.2 2280 – PCIe 5.0 x2 (NVMe) – 256-bits AES – TCG…
€ 690,05
- Capacidade de 2 TB para um armazenamento alargado
- Taxas de dados internas de 7250 MBps para um desempenho mais rápido
- Tecnologia inteligente TurboWrite para uma gestão eficiente dos dados
- Tolerância térmica robusta com uma temperatura máxima de funcionamento de 70°C
- Encriptação de hardware AES de 256 bits para maior segurança
2 em stock
Descrição
O Samsung 990 EVO Plus é uma poderosa unidade de estado sólido interna concebida para melhorar o desempenho de armazenamento com uma capacidade de 2 TB. Com a tecnologia V-NAND TLC da Samsung, esta unidade garante uma transferência de dados de alta velocidade com uma taxa de dados interna de 7250 MBps e uma velocidade de escrita de 6300 MBps, permitindo um funcionamento perfeito para aplicações exigentes e gestão de ficheiros grandes. Com suporte para interfaces PCI Express 4.0 e 5.0, satisfaz vários requisitos de sistema, oferecendo velocidade e fiabilidade.
Projetado com recursos avançados, como a tecnologia Intelligent TurboWrite e um algoritmo de coleta automática de lixo, o Samsung 990 EVO Plus mantém a eficiência e a durabilidade mesmo sob cargas de trabalho pesadas. A sua capacidade de resistência a choques e vibrações de até 1500 g e uma gama de temperaturas de -40°C a 85°C tornam-no adequado para ambientes profissionais e de consumo. Esta SSD garante um acesso rápido aos dados e fornece encriptação de hardware para uma segurança melhorada, tornando-a a escolha ideal para os utilizadores que pretendem melhorar o desempenho do sistema.
- Transferência de dados eficiente. Com taxas de dados internas que atingem até 7250 MBps, os dados podem ser transferidos rapidamente, permitindo tempos de arranque mais rápidos e velocidades de carregamento de aplicações mais rápidas.
- Elevada durabilidade. Com uma resistência ao choque de até 1500 g e uma tolerância à vibração, esta unidade é suficientemente robusta para suportar o stress físico, garantindo um funcionamento fiável em vários ambientes.
- Gestão avançada do desempenho. Suporta TRIM, recolha automática de lixo e suspensão do dispositivo para otimizar o desempenho e prolongar a vida útil da unidade, tornando-a adequada tanto para utilização diária como para aplicações exigentes.
- Funcionalidades de segurança melhoradas. Equipada com encriptação de hardware AES de 256 bits e TCG Opal Encryption 2.0, a unidade fornece medidas de segurança robustas para proteger dados sensíveis contra o acesso não autorizado.
O que está na caixa
- Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 – unidade de estado sólido
- Software
| Descrição do produto | Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 – SSD – 4 TB – PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Tipo | Unidade de estado sólido – interna |
| Capacidade | 4 TB |
| Encriptação de hardware | Sim |
| Algoritmo de encriptação | 256-bits AES |
| Tipo de Memória Flash NAND | Célula de três níveis (TLC) |
| Factor de forma | M.2 2280 |
| Interface | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Recursos | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, suporte de Device Sleep, Host Memory Buffer (HMB), suporte TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Dimensões (LxPxA) | 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm |
| Peso | 9 g |
| Garantia do fabricante | Garantia de 5 anos |
Geral
| Encriptação de hardware | Sim |
| Peso | 9 g |
| Capacidade | 4 TB |
| Tipo de dispositivo | Unidade de estado sólido – interna |
| Algoritmo de encriptação | 256-bits AES |
| Largura | 22.15 mm |
| Tipo de Memória Flash NAND | Célula de três níveis (TLC) |
| Altura | 2.38 mm |
| Factor de forma | M.2 2280 |
| Profundidade | 80.15 mm |
| Interface | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Recursos | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, suporte de Device Sleep, Host Memory Buffer (HMB), suporte TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
Diversos
| Material incluído | Revestimento de níquel |
Potência
| Consumo de Energia | 5.5 watt (leitura) ¦ 4.8 watt (gravação) ¦ 60 mW (espera) ¦ 5 mW (repouso) |
Parâmetros ambientais
| Temperatura de Funcionamento Mínima | 0 °C |
| Temperatura de Funcionamento Máxima | 70 °C |
| Temperatura de Armazenagem Mínima | -40 °C |
| Temperatura de Armazenagem Máxima | 85 °C |
| Tolerância de choque (não em função) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Tolerância a vibração (não em função) | 20 g @ 20-2000 Hz |
| Limite de Humidade em Funcionamento | 5 – 95% (sem condensação) |
Desempenho
| 4KB de Gravação Aleatória Máxima | 1400000 IOPS |
| Máximo de 4KB de Leitura Aleatória | 1050000 IOPS |
| Taxa de dados internos | 7250 MBps (ler)/ 6300 MBps (escrever) |
Confiabilidade
| MTBF | 1.500.000 horas |
Dimensões e peso (transporte)
| Altura da remessa | 14.2 cm |
| Largura da remessa | 9.9 cm |
| Profundidade da remessa | 2.29 cm |
Software & Requisitos do sistema
| Software incluído | Samsung Magician Software |
Expansão & Conectividade
| Unidade Compatível | M.2 2280 |
Garantia do fabricante
| Serviço e suporte | Garantia limitada – 5 anos / 2400 TBW |
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