Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW – SSD – encriptado – 2 TB – interna – M.2 2280 – PCIe 4.0 x4 (NVMe) – 256-bits AES – TCG…
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Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW – SSD – encriptado – 2 TB – interna – M.2 2280 – PCIe 4.0 x4 (NVMe) – 256-bits AES – TCG Opal Encryption 2.0
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Descrição
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW – SSD – encriptado – 2 TB – interna – M.2 2280 – PCIe 4.0 x4 (NVMe) – 256-bits AES – TCG Opal Encryption 2.0
Características
- Velocidade PCIe 4.0 maximizada. Grande aumento de velocidade, velocidades de leitura/gravação aleatórias mais rápidas do que as do 980 PRO. Voe alto em jogos, edição de vídeo e 3D, análise de dados e muito mais.
- Eficiência energética revolucionária. Desempenho mais eficiente em termos de energia. Um desempenho superior geralmente consome mais energia. Mas o 990 PRO consome menos energia com um desempenho 50% melhor por watt em relação ao 980 PRO. Este design de baixo consumo de energia torna possível o desempenho máximo do PCIe 4.0 com uma eficiência energética óptima.
- Solução térmica inteligente. Velocidade para além do calor. O controlador revestido a níquel e o algoritmo de controlo térmico de ponta gerem o calor para um desempenho inabalável. A etiqueta de dispersão de calor controla o calor do chip NAND, enquanto o Dynamic Thermal Guard mantém as temperaturas óptimas.
- O criador de campeões. Uma melhoria de mais de 55% no desempenho aleatório permite carregamentos mais rápidos para o máximo realismo nos jogos para PS5 e DirectStorage para PC.
| Descrição do produto | Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW – SSD – 2 TB – PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Tipo | Unidade de estado sólido – interna |
| Capacidade | 2 TB |
| Encriptação de hardware | Sim |
| Algoritmo de encriptação | 256-bits AES |
| Tipo de Memória Flash NAND | Célula de três níveis (TLC) |
| Factor de forma | M.2 2280 |
| Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Taxa de transferência de dados | 8 GBps |
| Recursos | Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, cache DRAM LPDDR4 de 2 GB, suporte TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, modo de descanso, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. |
| Dimensões (LxPxA) | 22 mm x 80 mm x 2.3 mm |
| Peso | 9 g |
| Garantia do fabricante | Garantia de 5 anos |
| Geral | |
|---|---|
| Encriptação de hardware | Sim |
| Profundidade | 80 mm |
| Peso | 9 g |
| Largura | 22 mm |
| Capacidade | 2 TB |
| Altura | 2.3 mm |
| Tipo de dispositivo | Unidade de estado sólido – interna |
| Algoritmo de encriptação | 256-bits AES |
| Tipo de Memória Flash NAND | Célula de três níveis (TLC) |
| Factor de forma | M.2 2280 |
| Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Recursos | Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, cache DRAM LPDDR4 de 2 GB, suporte TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, modo de descanso, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. |
| Garantia do fabricante | |
| Serviço e suporte | Garantia limitada – 5 anos/1200 TBW |
| Diversos | |
| Detalhes da Embalagem | Caixa |
| Padrões de Conformidade | IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC |
| Potência | |
| Consumo de Energia | 5.8 watt (leitura) ¦ 5.1 watt (gravação) ¦ 55 mW (inactivo) ¦ 5 mW (modo L1.2) |
| Parâmetros ambientais | |
| Temperatura de Funcionamento Mínima | 0 °C |
| Temperatura de Funcionamento Máxima | 70 °C |
| Temperatura de Armazenagem Mínima | -40 °C |
| Temperatura de Armazenagem Máxima | 85 °C |
| Tolerância de choque (não em função) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Tolerância a vibração (não em função) | 20 g @ 20-2000 Hz |
| Limite de Humidade em Funcionamento | 5 – 95% (sem condensação) |
| Desempenho | |
| 4KB de Leitura Aleatória | 1400000 IOPS |
| Velocidade de transferência de drive | 8 GBps (externo) |
| Resistência SSD | 1200 TB |
| Taxa de dados internos | 7450 MBps (ler)/ 6900 MBps (escrever) |
| 4KB de Gravação Aleatória | 1550000 IOPS |
| Confiabilidade | |
| MTBF | 1,500,000 horas |
| Software & Requisitos do sistema | |
| Software incluído | Samsung Magician Software |
| Expansão & Conectividade | |
| Unidade Compatível | M.2 2280 |
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