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Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 – SSD – encriptado – 1 TB – interna – M.2 2280 – PCIe 5.0 x2 (NVMe) – 256-bits AES – TCG…
€ 251,29
- Capacidade de 1 TB para um amplo espaço de armazenamento
- Taxa de dados interna de até 7150 MBps para um desempenho rápido
- Design durável com tolerância de temperatura de -40°C a 85°C
- Suporte TRIM e recolha automática de lixo para maior longevidade
- Encriptação de hardware integrada para segurança dos dados
6 em stock
Descrição
O Samsung 990 EVO Plus é uma unidade de estado sólido interna concebida para aplicações exigentes. Com uma capacidade robusta de 1 TB, garante um amplo armazenamento para uma variedade de ficheiros e aplicações. A unidade utiliza PCI Express 5.0 e possui taxas de dados internas de até 7150 MBps, permitindo uma rápida recuperação de dados e tempos de carregamento mínimos. A tecnologia V-NAND TLC da Samsung melhora o desempenho e a resistência, tornando-a adequada tanto para a computação quotidiana como para tarefas intensivas. Esta unidade foi concebida para suportar uma variedade de condições ambientais, funcionando eficazmente em temperaturas de 0°C a 70°C e suportando temperaturas de armazenamento tão baixas como -40°C e tão altas como 85°C. Inclui suporte TRIM e um algoritmo de recolha automática de lixo, garantindo um desempenho ótimo ao longo do tempo. É dada prioridade à segurança com encriptação de hardware e conformidade com o TCG Opal Encryption 2.0, protegendo os dados contra o acesso não autorizado.
- Desempenho de alta velocidade. Com uma taxa de dados interna de 7150 MBps e velocidades de escrita até 6300 MBps, o Samsung 990 EVO Plus oferece capacidades de leitura e escrita rápidas, essenciais para utilizadores avançados e jogadores.
- Durabilidade robusta. Concebido para funcionar em ambientes adversos, este SSD pode suportar temperaturas de -40°C a 85°C, garantindo fiabilidade em várias condições.
- Segurança avançada. A unidade inclui encriptação de hardware AES de 256 bits, mantendo os dados seguros através do TCG Opal Encryption 2.0, permitindo que os utilizadores fiquem tranquilos em relação às suas informações sensíveis.
- Consumo de energia eficiente. Funcionando a níveis de energia baixos, incluindo 5 mW durante o modo de leitura e 4,2 watts no modo de suspensão, esta unidade é eficiente, contribuindo para a poupança global de energia.
- Caraterísticas tecnológicas melhoradas. Equipada com a tecnologia Intelligent TurboWrite e Host Memory Buffer (HMB), esta SSD proporciona um desempenho mais rápido e uma maior eficiência para todas as aplicações.
O que está na caixa
- Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 – unidade de estado sólido
- Software
| Descrição do produto | Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 – SSD – 1 TB – PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Tipo | Unidade de estado sólido – interna |
| Capacidade | 1 TB |
| Encriptação de hardware | Sim |
| Algoritmo de encriptação | 256-bits AES |
| Tipo de Memória Flash NAND | Célula de três níveis (TLC) |
| Factor de forma | M.2 2280 |
| Interface | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Recursos | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, suporte de Device Sleep, Host Memory Buffer (HMB), suporte TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Dimensões (LxPxA) | 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm |
| Peso | 9 g |
| Garantia do fabricante | Garantia de 5 anos |
Geral
| Encriptação de hardware | Sim |
| Peso | 9 g |
| Capacidade | 1 TB |
| Tipo de dispositivo | Unidade de estado sólido – interna |
| Algoritmo de encriptação | 256-bits AES |
| Largura | 22.15 mm |
| Tipo de Memória Flash NAND | Célula de três níveis (TLC) |
| Altura | 2.38 mm |
| Factor de forma | M.2 2280 |
| Profundidade | 80.15 mm |
| Interface | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Recursos | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, suporte de Device Sleep, Host Memory Buffer (HMB), suporte TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
Garantia do fabricante
| Serviço e suporte | Garantia limitada – 5 anos/600 TBW |
Diversos
| Material incluído | Revestimento de níquel |
Potência
| Consumo de Energia | 4.3 watt (leitura) ¦ 4.2 watt (gravação) ¦ 60 mW (espera) ¦ 5 mW (repouso) |
Parâmetros ambientais
| Temperatura de Funcionamento Mínima | 0 °C |
| Temperatura de Funcionamento Máxima | 70 °C |
| Tolerância de choque (não em função) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Tolerância a vibração (não em função) | 20 g @ 20-2000 Hz |
Desempenho
| Máximo de 4KB de Leitura Aleatória | 850000 IOPS |
| 4KB de Gravação Aleatória Máxima | 1350000 IOPS |
| Taxa de dados internos | 7150 MBps (ler)/ 6300 MBps (escrever) |
Confiabilidade
| MTBF | 1.500.000 horas |
Software & Requisitos do sistema
| Software incluído | Samsung Magician Software |
Expansão & Conectividade
| Unidade Compatível | M.2 2280 |











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